| Categoria de parâmetros | Detalhes |
|---|---|
| Capacidade do substrato | Tamanho máximo: até 6 polegadas (150 mm); Compatível com wafers de 2 "/4"/6" / componentes ópticos; Tamanho mínimo: 10 × 10 mm |
| Desempenho no vácuo | Vazio final: ≤ 1×10−6 Torr (1,3×10−4 Pa); Tempo de bombeamento: minutos até 5×10−6 Torr; Taxa de vazamento: 10−3 Pa*L/s (teste de vazamento He) |
| Sistema de evaporação | Potência do feixe de elétrons: 250W-10kW; Número de cadinhos/bolsões: 4-8; Rodas de suporte (max φ4mm) e matéria-prima do cadinho (1-15cc) |
| Controle de processos | Temperatura do substrato: RT-500°C (precisão ±1°C); Velocidade de rotação: 2-20 rpm; Monitor de espessura da película: QCM (0,01 nm/s de resolução) |
| Qualidade do filme | Uniformidade: ±1%-±3%; Adesão: Cumprindo a norma ASTM D3359 4B; Taxa de deposição: 0,1 a 10 nm/s |
| Compatibilidade | Materiais: Au, Ag, Pt, W, SiO2, TiO2, MgF2, YF3, ZrO2 (suporta filmes AR/AF/refletores) |
| Dimensões físicas | Impressão: 1-3.3×3.0m; Altura: 2.5-3.5m; Peso: <800kg (modelos de mesa/mesas) |
| Fornecimento de energia | Fase única/três: 220V/380V, 50/60Hz; Consumo de energia: 1,2 kW-10 kW |
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