Fase de preparação do vácuo:Fechar a porta da câmara de vácuo, iniciar o sistema de vácuo para evacuar até ao vácuo máximo (≤ 5 × 10−5 Pa) e, ao mesmo tempo, heat the substrate to the preset temperature (such as 150℃ for glass substrate and 80℃ for resin substrate) through the workpiece rack heating device to remove the water vapor and impurities adsorbed on the substrate surface and enhance the adhesion of the film layer.
Fase de evaporação do material da membrana:A arma de elétrons é activada por PLC, o cátodo é aquecido para gerar elétrons térmicos, which are then accelerated at the anode (acceleration voltage 10-30kV) and focused by the focusing coil to form a high-energy electron beam that bombards the AR membrane material (such as the first layer of SiO₂) inside the crucibleA energia cinética do feixe de elétrons é convertida em energia térmica, fazendo com que o material da membrana atinja a temperatura de evaporação (cerca de 1700°C para o SiO2 e cerca de 2200°C para o TiO2),e depois evaporam em partículas gasosas.
Fase de deposição do filme:As partículas de material de filme gasoso difundem-se para o substrato num ambiente de vácuo, adsorvem, migram e condensam-se na superfície do substrato, formando uma película contínua.O rack peça de trabalho garante que as partículas gasosas cobrem uniformemente a superfície da base através de auto-rotação e revolução, evitando desvios de espessura locais.
Fase final do revestimento:Depois de todas as camadas de filme terem sido depositadas, manter um ambiente de vácuo para arrefecer durante 30 a 60 minutos (para evitar tensões internas nas camadas de filme devido a diferenças de temperatura excessivas),em seguida, liberar lentamente o gás para a pressão normal e remover a peça de trabalhoAo longo de todo o processo, the film thickness monitoring system provides real-time feedback on data and dynamically adjusts the electron beam power and evaporation rate to ensure that the refractive index and thickness of each layer of film meet the AR film design requirements (such as achieving a reflectivity of ≤00,5% na faixa de luz visível de 400 a 700 nm).
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