Giai đoạn chuẩn bị chân không:Đóng cửa buồng chân không, khởi động hệ thống chân không để sơ tán đến chân không tối đa (≤ 5 × 10 - 5 Pa) và đồng thời, heat the substrate to the preset temperature (such as 150℃ for glass substrate and 80℃ for resin substrate) through the workpiece rack heating device to remove the water vapor and impurities adsorbed on the substrate surface and enhance the adhesion of the film layer.
Giai đoạn bốc hơi vật liệu màng:Vũ khí điện tử được kích hoạt bởi PLC. which are then accelerated at the anode (acceleration voltage 10-30kV) and focused by the focusing coil to form a high-energy electron beam that bombards the AR membrane material (such as the first layer of SiO₂) inside the crucibleNăng lượng động của chùm electron được chuyển thành năng lượng nhiệt, khiến vật liệu màng đạt đến nhiệt độ bay hơi (khoảng 1700 °C cho SiO2 và khoảng 2200 °C cho TiO2),và sau đó bốc hơi thành các hạt khí.
Giai đoạn lắng đọng phim:Các hạt vật liệu màng khí phân tán về phía chất nền trong môi trường chân không, hấp thụ, di cư và ngưng tụ trên bề mặt chất nền, tạo thành một bộ phim liên tục.Các rack workpiece đảm bảo rằng các hạt khí đồng đều bao phủ bề mặt cơ sở thông qua tự quay và vòng xoay, tránh sai lệch độ dày địa phương.
Giai đoạn cuối cùng của lớp phủ:Sau khi tất cả các lớp phim được lắng đọng, duy trì môi trường chân không để làm mát trong 30 đến 60 phút (để tránh căng thẳng bên trong các lớp phim do sự khác biệt nhiệt độ quá cao),sau đó từ từ giải phóng khí đến áp suất bình thường và loại bỏ mảnh làm việcTrong suốt quá trình này, the film thickness monitoring system provides real-time feedback on data and dynamically adjusts the electron beam power and evaporation rate to ensure that the refractive index and thickness of each layer of film meet the AR film design requirements (such as achieving a reflectivity of ≤00, 5% trong dải ánh sáng nhìn thấy 400-700nm).
Liên hệ với chúng tôi bất cứ lúc nào