Vakum hazırlama aşaması:Vakum odası kapısını kapatın, vakum sistemini başlatın ve en yüksek vakuma (≤5×10−5 Pa) boşaltın ve aynı zamanda, heat the substrate to the preset temperature (such as 150℃ for glass substrate and 80℃ for resin substrate) through the workpiece rack heating device to remove the water vapor and impurities adsorbed on the substrate surface and enhance the adhesion of the film layer.
Membran malzemesinin buharlaşma aşaması:Elektron tabancası PLC ile çalıştırılır, katot ısı ile ısı elektronları üretir. which are then accelerated at the anode (acceleration voltage 10-30kV) and focused by the focusing coil to form a high-energy electron beam that bombards the AR membrane material (such as the first layer of SiO₂) inside the crucibleElektron ışınının kinetik enerjisi termal enerjiye dönüştürülür ve membran malzemesinin buharlaşma sıcaklığına (SiO2 için yaklaşık 1700°C ve TiO2 için yaklaşık 2200°C) ulaşmasına neden olur.Ve sonra gazlı parçacıklara dönüşürler..
Film atma aşaması:Gaz şeklindeki film malzemesi parçacıkları vakum ortamında substrat yönünde yayılır, adsorbe olur, göç eder ve bir sürekli film oluşturarak substrat yüzeyinde yoğunlaşır.İş parçasının rafı, gazlı parçacıkların kendi kendine dönüş ve devrim yoluyla taban yüzeyini eşit bir şekilde kaplamasını sağlar, yerel kalınlık sapmalarını önlemek.
Katlamanın son aşaması:Tüm film katmanları yerleştirildikten sonra, vakum ortamında 30 ila 60 dakika soğutulur (aşırı sıcaklık farklılıklarından dolayı film katmanlarında iç stresden kaçınmak için),sonra yavaşça gazı normal basınca serbest bırakın ve iş parçasını çıkarınTüm süreç boyunca, the film thickness monitoring system provides real-time feedback on data and dynamically adjusts the electron beam power and evaporation rate to ensure that the refractive index and thickness of each layer of film meet the AR film design requirements (such as achieving a reflectivity of ≤0400-700nm görünür ışık bandında %.5.
Herhangi bir zamanda bizimle iletişime geçin