バキューム準備段階:真空室のドアを閉じて,真空システムを起動し,究極の真空 (≤5×10−5 Pa) に避難し,同時に, heat the substrate to the preset temperature (such as 150℃ for glass substrate and 80℃ for resin substrate) through the workpiece rack heating device to remove the water vapor and impurities adsorbed on the substrate surface and enhance the adhesion of the film layer.
膜材料の蒸発段階:電子銃はPLCで起動します カソドは熱電子を生成するために加熱されます which are then accelerated at the anode (acceleration voltage 10-30kV) and focused by the focusing coil to form a high-energy electron beam that bombards the AR membrane material (such as the first layer of SiO₂) inside the crucible電子ビームの運動エネルギーは熱エネルギーに変換され,膜材料が蒸発温度 (SiO2は約1700°C,TiO2は約2200°C) に達します.そして蒸発して ガス粒子になります.
フィルムの堆積段階:ガス状のフィルム材料の粒子は真空環境で基板に向かって拡散し,基板表面に吸収し,移動し,凝縮し,連続フィルムを形成する.作業部品ラックは,自転と革命を通じて,ガス粒子均等にベース表面をカバーすることを保証地元の厚さ偏差を避ける.
塗装の最終段階:すべてのフィルム層が埋もれた後,真空環境で30〜60分間冷却 (過度の温度差によるフィルム層の内部ストレスを避けるため)その後,ゆっくりと通常の圧力にガスを解放し,作業部件を取り除くプロセス全体を通して the film thickness monitoring system provides real-time feedback on data and dynamically adjusts the electron beam power and evaporation rate to ensure that the refractive index and thickness of each layer of film meet the AR film design requirements (such as achieving a reflectivity of ≤0400~700nmの可視光帯域では0.5%).