진공 준비 단계:진공 방의 문을 닫고 진공 시스템을 시작하여 궁극적인 진공 (≤5×10−5 Pa) 으로 진공하고 동시에 heat the substrate to the preset temperature (such as 150℃ for glass substrate and 80℃ for resin substrate) through the workpiece rack heating device to remove the water vapor and impurities adsorbed on the substrate surface and enhance the adhesion of the film layer.
막물물 증발 단계:전자 총은 PLC에 의해 활성화됩니다. which are then accelerated at the anode (acceleration voltage 10-30kV) and focused by the focusing coil to form a high-energy electron beam that bombards the AR membrane material (such as the first layer of SiO₂) inside the crucible전자 빔의 운동 에너지는 열 에너지로 변환되어 막 물질이 증발 온도 (SiO2의 약 1700°C, TiO2의 약 2200°C) 에 도달하게됩니다.그리고 나서 기체 입자로 증발합니다.
필름 퇴적 단계:가시 필름 물질 입자는 진공 환경에서 기판으로 확산되고 기판 표면에 흡수, 이주 및 응고하여 연속 필름을 형성합니다.작업 부품 랙은 가스 입자가 자기 회전과 반전을 통해 기저 표면을 균일하게 덮는 것을 보장합니다, 지역 두께 오차를 피합니다.
코팅의 마지막 단계:모든 필름 층이 퇴적된 후 30~60분 동안 진공 환경에서 냉각시켜야 합니다 (대온 차이로 인한 필름 층의 내부 스트레스를 피하기 위해서)그 다음 천천히 정상 압력으로 가스를 풀고 작업 부품을 제거이 모든 과정에서 the film thickness monitoring system provides real-time feedback on data and dynamically adjusts the electron beam power and evaporation rate to ensure that the refractive index and thickness of each layer of film meet the AR film design requirements (such as achieving a reflectivity of ≤0400~700nm 가시광선 대역에서 0.5%).