مرحلة إعداد الفراغ:أغلق باب غرفة الفراغ، وابدأ نظام الفراغ للانفصال إلى الفراغ النهائي (≤5 × 10−5 Pa) ، وفي نفس الوقت، heat the substrate to the preset temperature (such as 150℃ for glass substrate and 80℃ for resin substrate) through the workpiece rack heating device to remove the water vapor and impurities adsorbed on the substrate surface and enhance the adhesion of the film layer.
مرحلة تبخر مواد الغشاء:يتم تشغيل مسدس الإلكترون بواسطة PLC يتم تسخين الكاثود لتوليد الإلكترونات الحرارية which are then accelerated at the anode (acceleration voltage 10-30kV) and focused by the focusing coil to form a high-energy electron beam that bombards the AR membrane material (such as the first layer of SiO₂) inside the crucibleيتم تحويل الطاقة الحركية لأشعة الإلكترونات إلى طاقة حرارية، مما يتسبب في وصول مادة الغشاء إلى درجة حرارة التبخر (حوالي 1700 درجة مئوية لـ SiO2 وحوالي 2200 درجة مئوية لـ TiO2) ،ثم تبخر إلى جزيئات غازية.
مرحلة ترسب الفيلم:الجزيئات الغازية من مواد الفيلم تنتشر نحو الركيزة في بيئة فراغ ، وتستوعب وتهاجر وتكثف على سطح الركيزة ، وتشكل فيلمًا متواصلًا.يضمن رف قطعة العمل أن الجزيئات الغازية تغطي بشكل متساو على سطح القاعدة من خلال دوران الذات والثورة، وتجنب الانحرافات المحلية في السماكة.
المرحلة النهائية من الطلاء:بعد أن يتم إيداع جميع طبقات الفيلم ، يجب الحفاظ على بيئة فراغ لتبرد لمدة 30 إلى 60 دقيقة (لتجنب الإجهاد الداخلي في طبقات الفيلم بسبب الاختلافات الحرارية المفرطة).ثم إطلاق الغاز ببطء إلى الضغط الطبيعي وإزالة قطعة العملخلال العملية بأكملها the film thickness monitoring system provides real-time feedback on data and dynamically adjusts the electron beam power and evaporation rate to ensure that the refractive index and thickness of each layer of film meet the AR film design requirements (such as achieving a reflectivity of ≤0.5٪ في نطاق الضوء المرئي 400-700nm).
اتصل بنا في أي وقت