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Deposition Magnetron Sputtering Vacuum Coating Machine/Multi-Arc Ion Sputtering Vacuum Chamber
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Deposition Magnetron Sputtering Vacuum Coating Machine/Multi-Arc Ion Sputtering Vacuum Chamber
| Lieu d'origine | Guangdong |
| Nom de marque | Lion King |
| Certification | CE |
Détails du produit
Taille de la chambre:
personnalisé
Système de contrôle de revêtement:
PLC / écran tactile
Manière de fonctionnement:
Écran tactile
Système de surveillance du revêtement:
En temps réel
Épaisseur du revêtement:
0,1 à 5 microns
Alimentation en revêtement:
DC / RF / AC
Dureté de revêtement:
≥HV800
Revêtements:
Métal, Céramique, Matériaux Organiques
Matériau de la chambre:
Acier inoxydable
Niveau de vide:
Vide poussé
Garantie:
1 an
Vitesse de revêtement:
Rapide
Mettre en évidence:
magnetron sputtering vacuum coating machine
,multi-arc ion sputtering vacuum chamber
,deposition magnetron sputtering machine
Conditions de paiement et d'expédition
Quantité de commande min
1
Délai de livraison
45-60 jours de travail
Description du produit
1. Principe de fonctionnement principal
- Établissement d'un environnement sous vide : Un groupe de pompage à vide est utilisé pour réduire la pression à l'intérieur de la chambre de dépôt à un état de vide poussé (généralement ≤10⁻³ Pa), empêchant les molécules d'air d'interférer avec le dépôt du film.
- Excitation du plasma : Un gaz inerte (tel que l'argon) est introduit dans la chambre, et un champ électrique à haute tension est appliqué entre la cible (matériau de dépôt, par exemple, aluminium, titane, ITO) et le substrat pour ioniser le gaz argon et générer du plasma.
- Dépôt par pulvérisation cathodique magnétron : Un champ magnétique est utilisé pour contraindre la trajectoire de mouvement des électrons, améliorant l'efficacité de collision entre les électrons et les molécules d'argon. Cela provoque le bombardement de la surface de la cible par des ions argon à haute vitesse ; les atomes de la cible sont "pulvérisés", se déplacent en ligne droite et se déposent sur la surface du substrat pour former un film uniforme.
2. Avantages principaux
- Haute qualité du film: Le film présente une bonne uniformité (l'écart peut être contrôlé dans ±5%) et une forte adhérence au substrat, ce qui le rend moins susceptible de se décoller ou de se fissurer.
- Haute efficacité de dépôt: La conception utilisant un champ magnétique pour contraindre les électrons améliore considérablement le taux de pulvérisation. Le taux de dépôt d'une seule cible peut atteindre 0,1-10 µm/min, ce qui convient à la production de masse.
- Large adaptabilité des matériaux: Les matériaux de dépôt applicables comprennent les métaux (aluminium, cuivre, argent), les alliages (acier inoxydable, alliage de titane) et les composés (ITO, SiO₂, Al₂O₃), répondant à différentes exigences fonctionnelles.
- Respect de l'environnement et absence de pollution: L'ensemble du processus n'implique aucun rejet de déchets liquides chimiques ou de gaz nocifs, et utilise uniquement des gaz inertes et des cibles solides, conformément aux normes modernes de protection de l'environnement industriel.
3. Principaux domaines d'application
| Industrie d'application | Exemples d'utilisations spécifiques | Exigences principales |
|---|---|---|
| Industrie de l'information électronique | Dépôt d'électrodes de puces, film conducteur ITO pour écrans, film de tête magnétique | Haute conductivité, uniformité du film, contrôle précis |
| Domaine optique | Film antireflet pour lunettes, film de filtre pour objectifs d'appareils photo, lentilles laser | Faible réflectivité, haute transmission de la lumière, résistance à l'usure |
| Revêtement décoratif et fonctionnel | Films décoratifs pour la quincaillerie (par exemple, or titane, or zirconium), films résistants à l'usure pour outils de coupe | Esthétique, résistance à la corrosion, dureté élevée |
| Industrie des nouvelles énergies | Dépôt de pièces polaires de batteries au lithium, film antireflet pour verre photovoltaïque | Haute adhérence, efficacité de production de masse, faible coût |
4. Paramètres techniques clés (Référence)
- Degré de vide : Vide ultime ≤5*10⁻⁵ Pa, vide de travail 1*10⁻³ - 5*10⁻¹ Pa
- Configuration de la cible : Simple cible, double cible ou multi-cibles (supporte le dépôt DC, RF et à moyenne fréquence), taille de cible Φ50-300 mm
- Taille du substrat : Personnalisable ; les tailles conventionnelles couvrent les matériaux en feuilles (100*100 mm - 1000*1000 mm) et les matériaux en rouleaux (largeur ≤1600 mm)
- Taux de dépôt : 0,5-10 µm/min pour les films métalliques, 0,1-2 µm/min pour les films d'oxyde
- Température de chauffage du substrat : Température ambiante - 500 °C (contrôle précis de la température disponible, différence de température ±2 °C)
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