Equipo de recubrimiento por pulso de magnetrones para el recubrimiento de cristales

Se compone de un módulo de fuente de alimentación de pulsos, una cámara de pulverización catódica por magnetrón, un conjunto de material objetivo, un sistema de vacío, una unidad de transmisión y control de temperatura del sustrato, así como un sistema de monitoreo en línea, etc.

Al emitir un voltaje de pulso con una frecuencia que oscila entre 10 y 350 kHz, la pulverización del objetivo se logra en la etapa de voltaje negativo, y se introducen electrones en la etapa de voltaje positivo para neutralizar las cargas positivas acumuladas en la superficie del objetivo. Durante la operación, la cámara se evacua primero al vacío y se introducen gases de trabajo como el argón. Después de que la fuente de alimentación de pulsos aplica voltaje, el gas se ioniza para formar plasma. Bajo la restricción del campo magnético, el plasma bombardea el material objetivo, lo que hace que los átomos o moléculas del material objetivo se desprendan y se depositen en la superficie del sustrato para formar una película.

El equipo puede ajustar con precisión parámetros clave como la frecuencia de pulso, el ciclo de trabajo y la potencia máxima, adaptándose a diferentes materiales objetivo y requisitos de recubrimiento. Al ajustar el ciclo de trabajo, también se puede equilibrar la generación de calor del material objetivo y la velocidad de pulverización. Algunos modelos de alta gama pueden alcanzar una frecuencia de pulso de hasta 150 kHz, lo que puede satisfacer los requisitos de deposición de capas de película complejas.

No solo puede manejar objetivos metálicos como Ti y Al, sino que también lograr una pulverización estable de objetivos aislantes como Al₂O₃ y TiO₂ a través de modos de pulso bidireccional o de CA de frecuencia media. Además, el diseño del proceso a baja temperatura se puede adaptar a diferentes sustratos de materiales como vidrio, plástico y PET, y es particularmente adecuado para recubrir sustratos sensibles al calor como OLED flexibles.

Los modelos principales están equipados con múltiples manipuladores de vacío integrados, monitoreo en línea del espesor de la película y sistemas de alineación automática, lo que permite la producción continua en múltiples cámaras.

El modo de trabajo periódico de la fuente de alimentación de pulsos puede suprimir eficazmente la descarga de arco en la superficie del objetivo y reducir los defectos de la película. Al mismo tiempo, los pulsos de alta potencia pueden generar plasma de alta densidad, lo que hace que la capa de película sea más densa.

La tasa de utilización del material objetivo del equipo se puede aumentar del 20% al 45%, el consumo de material objetivo se puede reducir en un 40% y el costo de uso de metales raros como el ITO se puede reducir en un 30%. Además, la velocidad de deposición puede alcanzar los 10 nm/s, lo que mejora significativamente la eficiencia de producción.

Durante la deposición de óxidos, nitruros y otras películas compuestas, el gas de reacción adsorbido en la superficie del objetivo se puede desorber durante el intervalo de pulso, evitando la formación de una capa aislante en la superficie del objetivo y resolviendo el problema del envenenamiento del objetivo en la pulverización catódica por magnetrón de CC tradicional que hace que la pulverización sea insostenible.

Es el equipo central para el recubrimiento de pantallas y también puede preparar películas conductoras transparentes de ITO para satisfacer las necesidades de las pantallas táctiles de teléfonos móviles, etc.

Se pueden depositar recubrimientos duros como TiN y CrN en la superficie de las herramientas de corte y los moldes para mejorar su resistencia al desgaste y la vida útil.

La pantalla de control central está equipada con una película antirreflectante multicapa alternada de SiO₂ y TiO₂, que mejora la visibilidad en un 40% bajo luz intensa y puede soportar temperaturas extremas que oscilan entre -40 °C y 85 °C.

Es adecuado para la preparación de alta precisión de películas ópticas como películas antirreflectantes y películas reflectantes, y también puede depositar recubrimientos funcionales requeridos para dispositivos semiconductores.