อุปกรณ์การเคลือบด้วยเครื่องพ่นแม่เหล็กแม่เหล็กแบบ Pulse สําหรับเคลือบกระจก

ประกอบด้วยโมดูลจ่ายไฟแบบพัลส์, ห้องสปัตเตอร์แมกนีตรอน, ชุดประกอบวัสดุเป้าหมาย, ระบบสุญญากาศ, หน่วยควบคุมการส่งผ่านและอุณหภูมิของพื้นผิว, รวมถึงระบบตรวจสอบออนไลน์ ฯลฯ

โดยการส่งออกแรงดันไฟฟ้าแบบพัลส์ที่มีความถี่ตั้งแต่ 10 ถึง 350kHz การสปัตเตอร์เป้าหมายจะเกิดขึ้นในขั้นตอนแรงดันไฟฟ้าลบ และมีการแนะนำอิเล็กตรอนในขั้นตอนแรงดันไฟฟ้าบวกเพื่อทำให้ประจุบวกที่สะสมบนพื้นผิวเป้าหมายเป็นกลาง ในระหว่างการทำงาน ห้องจะถูกอพยพไปยังสุญญากาศก่อน และมีการแนะนำก๊าซทำงาน เช่น อาร์กอน หลังจากที่แหล่งจ่ายไฟแบบพัลส์ใช้แรงดันไฟฟ้า ก๊าซจะถูกไอออไนซ์เพื่อสร้างพลาสมา ภายใต้ข้อจำกัดของสนามแม่เหล็ก พลาสมาจะระดมยิงวัสดุเป้าหมาย ทำให้อะตอมหรือโมเลกุลของวัสดุเป้าหมายหลุดออกและสะสมบนพื้นผิวของพื้นผิวเพื่อสร้างฟิล์ม

อุปกรณ์สามารถปรับพารามิเตอร์หลักได้อย่างแม่นยำ เช่น ความถี่พัลส์ รอบการทำงาน และกำลังไฟสูงสุด ปรับให้เข้ากับวัสดุเป้าหมายและความต้องการการเคลือบที่แตกต่างกัน โดยการปรับรอบการทำงาน ความร้อนของวัสดุเป้าหมายและอัตราการสปัตเตอร์ก็สามารถสมดุลได้เช่นกัน บางรุ่นระดับไฮเอนด์สามารถบรรลุความถี่พัลส์สูงถึง 150kHz ซึ่งสามารถตอบสนองความต้องการการสะสมของชั้นฟิล์มที่ซับซ้อนได้

ไม่เพียงแต่สามารถจัดการเป้าหมายโลหะ เช่น Ti และ Al เท่านั้น แต่ยังสามารถบรรลุการสปัตเตอร์ที่เสถียรของเป้าหมายฉนวน เช่น Al₂O₃ และ TiO₂ ผ่านโหมดพัลส์สองทิศทางหรือโหมด AC ความถี่กลาง นอกจากนี้ การออกแบบกระบวนการที่อุณหภูมิต่ำยังสามารถปรับให้เข้ากับพื้นผิววัสดุที่แตกต่างกัน เช่น แก้ว พลาสติก และ PET และเหมาะอย่างยิ่งสำหรับการเคลือบพื้นผิวที่ไวต่อความร้อน เช่น OLED แบบยืดหยุ่น

รุ่นกระแสหลักติดตั้งตัวควบคุมสุญญากาศแบบบูรณาการหลายตัว การตรวจสอบความหนาของฟิล์มออนไลน์ และระบบจัดตำแหน่งอัตโนมัติ รองรับการผลิตอย่างต่อเนื่องในหลายห้อง

โหมดการทำงานเป็นระยะของแหล่งจ่ายไฟแบบพัลส์สามารถยับยั้งการปล่อยอาร์คบนพื้นผิวเป้าหมายได้อย่างมีประสิทธิภาพและลดข้อบกพร่องของฟิล์ม ในเวลาเดียวกัน พัลส์กำลังสูงสามารถสร้างพลาสมาความหนาแน่นสูง ทำให้ชั้นฟิล์มหนาแน่นขึ้น

อัตราการใช้ประโยชน์จากวัสดุเป้าหมายของอุปกรณ์สามารถเพิ่มขึ้นจาก 20% เป็น 45% การบริโภควัสดุเป้าหมายสามารถลดลงได้ 40% และต้นทุนการใช้โลหะหายาก เช่น ITO สามารถลดลงได้ 30% นอกจากนี้ อัตราการสะสมสามารถเข้าถึง 10nm/s ซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการผลิตอย่างมาก

ในระหว่างการสะสมของออกไซด์ ไนไตรด์ และฟิล์มสารประกอบอื่นๆ ก๊าซปฏิกิริยาที่ดูดซับบนพื้นผิวเป้าหมายสามารถถูกดีซอร์ปในระหว่างช่วงพัลส์ ป้องกันการก่อตัวของชั้นฉนวนบนพื้นผิวเป้าหมาย และแก้ปัญหาการเป็นพิษของเป้าหมายในการสปัตเตอร์แมกนีตรอน DC แบบดั้งเดิมที่ทำให้การสปัตเตอร์ไม่ยั่งยืน

เป็นอุปกรณ์หลักสำหรับการเคลือบหน้าจอแสดงผล และยังสามารถเตรียมฟิล์มนำไฟฟ้าโปร่งใส ITO เพื่อตอบสนองความต้องการของหน้าจอสัมผัสโทรศัพท์มือถือ ฯลฯ

สามารถสะสมสารเคลือบแข็ง เช่น TiN และ CrN บนพื้นผิวของเครื่องมือตัดและแม่พิมพ์เพื่อเพิ่มความทนทานต่อการสึกหรอและอายุการใช้งาน

หน้าจอกลางติดตั้งฟิล์มป้องกันแสงสะท้อนหลายชั้นสลับกันของ SiO₂ และ TiO₂ ซึ่งช่วยเพิ่มทัศนวิสัยได้ 40% ภายใต้แสงจ้าและสามารถทนต่ออุณหภูมิสุดขั้วตั้งแต่ -40 ℃ ถึง 85 ℃

เหมาะสำหรับการเตรียมฟิล์มแสงที่มีความแม่นยำสูง เช่น ฟิล์มป้องกันแสงสะท้อนและฟิล์มสะท้อนแสง และยังสามารถสะสมสารเคลือบฟังก์ชันที่จำเป็นสำหรับอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ได้