Équipement de revêtement par pulsation magnétronique pour le revêtement des verres

Il est composé d'un module d'alimentation par impulsion, d'une chambre de pulvérisation magnétronique, d'un ensemble de matériaux cibles, d'un système de vide, d'une transmission de substrat et d'une unité de contrôle de la température,ainsi qu'un système de surveillance en ligne, etc.

En produisant une tension d'impulsion avec une fréquence allant de 10 à 350 kHz, la pulvérisation cible est obtenue dans l'étape de tension négative,et les électrons sont introduits dans la phase de tension positive pour neutraliser les charges positives accumulées sur la surface cibleAu cours du fonctionnement, la chambre est d'abord évacuée dans un vide et des gaz de travail tels que l'argon sont introduits.Sous la contrainte du champ magnétique, le plasma bombarde le matériau cible, provoquant le détachement des atomes ou des molécules du matériau cible et le dépôt sur la surface du substrat pour former un film.

L'équipement peut régler avec précision les paramètres de base tels que la fréquence d'impulsion, le cycle de travail et la puissance de pointe, en s'adaptant aux différents matériaux cibles et aux exigences de revêtement.la production de chaleur du matériau cible et le taux de pulvérisation peuvent également être équilibrésCertains modèles haut de gamme peuvent atteindre une fréquence d'impulsion allant jusqu'à 150 kHz, ce qui peut répondre aux exigences de dépôt des couches de film complexes.

Il peut non seulement gérer des cibles métalliques telles que le Ti et l'Al, mais aussi obtenir une pulvérisation stable de cibles isolantes telles que l'Al2O3 et le TiO2 par des modes d'impulsion bidirectionnelle ou de courant alternatif à moyenne fréquence.En outre, la conception du procédé à basse température peut être adaptée à différents substrats de matériaux tels que le verre, le plastique et le PET,et est particulièrement adapté au revêtement de substrats sensibles à la chaleur tels que les OLED flexibles.

Les modèles traditionnels sont équipés de multiples manipulateurs de vide intégrés, de surveillance en ligne de l'épaisseur du film et de systèmes d'alignement automatique, permettant une production continue dans plusieurs chambres.

Le mode de fonctionnement périodique de l'alimentation par impulsion peut supprimer efficacement la décharge d'arc sur la surface cible et réduire les défauts de film.les impulsions de haute puissance peuvent générer un plasma à haute densité, rendant la couche de film plus dense.

Le taux d'utilisation cible des matériaux de l'équipement peut être augmenté de 20% à 45%, la consommation cible de matériaux peut être réduite de 40%,et le coût de l'utilisation de métaux rares tels que l'ITO peut être réduit de 30%En outre, le taux de dépôt peut atteindre 10 nm/s, ce qui améliore considérablement l'efficacité de la production.

Lors du dépôt de films d'oxyde, de nitrure et d'autres composés, le gaz de réaction adsorbé sur la surface cible peut être désorbé pendant l'intervalle d'impulsion,prévenir la formation d'une couche isolante sur la surface cible et résoudre le problème de l'empoisonnement de la cible dans le pulvérisation par magnétron à courant continu traditionnel qui rend le pulvérisation insoutenable.

Il s'agit de l'équipement de base pour le revêtement des écrans d'affichage et peut également préparer des films conducteurs transparents ITO pour répondre aux besoins des écrans tactiles des téléphones mobiles, etc.

Des revêtements durs tels que le TiN et le CrN peuvent être déposés sur la surface des outils de coupe et des moules pour améliorer leur résistance à l'usure et leur durée de vie.

L'écran central de commande est équipé d'un film antireflet à plusieurs couches alternant de SiO2 et de TiO2,qui améliore la visibilité de 40% sous une lumière forte et peut résister à des températures extrêmes allant de -40 °C à 85 °C.

Il convient à la préparation de films optiques de haute précision tels que des films antireflet et des films réfléchissants, et peut également déposer des revêtements fonctionnels requis pour les dispositifs à semi-conducteurs.