Máquina de revestimento de feixe de elétrons de arma directa com equipamento de revestimento pvd do sistema PLC
Máquina de revestimento de feixe de elétrons de arma directa com equipamento de revestimento pvd do sistema PLC
Lugar de origem
Guangdong
Marca
Lion King
Certificação
CE
Detalhes do produto
Fonte de evaporação:
2 conjuntos
Alimentação eléctrica:
AC 220V/380V, 50/60Hz
Sistema de rotação:
2 conjuntos
Fonte de alimentação de revestimento:
CC/RF/AC
Tipo de bomba:
Bomba de palhetas rotativas + bomba de difusão
Câmaramaterial:
Aço inoxidável
Eficiência de Revestimento:
Alto
Velocidade de revestimento:
1-4m/min
Tamanho da câmara de revestimento:
Personalizado
Método de revestimento:
Evaporação
Tecnologia de revestimento:
Evaporação térmica a vácuo
Material da câmara:
Aço inoxidável ou aço carbono
Transparência de revestimento:
Alto
Método de resfriamento:
Resfriamento de água
Taxa de deposição de revestimento na China:
Ajustável
Modo de operação:
Manual/automático
Destacar:
Máquina de revestimento por feixe de elétrons PLC
,
Equipamento de revestimento a vácuo PVD
,
Sistema de revestimento de evaporação direta da arma
Termos de pagamento e envio
Quantidade de ordem mínima
1
Tempo de entrega
45-60 dias de trabalho
Descrição do produto
I. Estrutura central
Sistema de vácuo
Componentes principais: câmara de vácuo, bomba molecular, bomba mecânica, medidor de vácuo (tipo de ionização/tipo de resistência).
Função: Fornece um ambiente de vácuo elevado de 10−3 a 10−6 Pa, reduzindo a dispersão do feixe de elétrons, a oxidação do material alvo e a contaminação do filme,e garantir a estabilidade do processo de evaporação e deposição.
Dispositivo de artilharia em linha reta (componente de accionamento central):
Composição: Cátodo de aquecimento direto (geralmente fio de tungstênio, fio de tântalo ou cristal LaB6), ânodo, bobina de foco, bobina de deflexão.
Características: O cátodo é eletrificado diretamente para aquecer e emitir elétrons. O feixe de elétrons é acelerado pelo ânodo (a tensão de aceleração é geralmente de 10 a 30 kV), focado pela bobina de foco,e, em seguida, desviado ao longo de uma linha reta ou em um pequeno ângulo para bombardear a superfície do material alvo.
Sistema de material alvo
Incluindo: cadinhos refrigerados a água (feitos de cobre ou molibdênio para evitar a deformação do cadinho após a fusão do material alvo), suportes de material alvo,e dispositivos de comutação de posições multi-alvo (suportando a deposição contínua de vários materiais).
Materiais-alvo compatíveis: metais (alumínio, titânio, ouro, prata), ligas (TiAl, NiCr), óxidos (SiO2, TiO2), flúor (MgF2) e outros materiais sólidos.
Estaca de peças e sistema de aquecimento/refrigeração:
Estaca de peças de trabalho: rotacional (para melhorar a uniformidade do filme), suportando a fixação de peças de trabalho de diferentes formas, tais como vidro, wafers de silício e substratos metálicos;
Modulo de controlo de temperatura: De acordo com os requisitos do processo,Pode aquecer a peça de trabalho (100 a 500 °C para aumentar a adesão da película) ou resfriá-la (para evitar a deformação dos substratos sensíveis ao calor).
Sistema de controlo
Núcleo: Controlador PLC, interface de operação de tela sensível ao toque, que pode ajustar com precisão a corrente do feixe de elétrons (0~100mA), tensão de aceleração, grau de vácuo, taxa de deposição,e espessura da película (monitorizada em tempo real através do método de oscilação de cristais de quartzo).
Funções de proteção: Equipado com mecanismos de segurança tais como alarme de vácuo insuficiente, proteção contra sobrecorrência e proteção contra sobrecarga catódica.
Sistema auxiliar
Sistema de inflação (argon, oxigénio e outros gases de reação podem ser introduzidos para preparar filmes compostos), fonte de íons (opcional,utilizado para pré-limpeza de filme ou deposição assistida por íons para aumentar a densidade da camada de filme).
II. Princípio de trabalho
Preparação do vácuo: iniciar a bomba mecânica e a bomba molecular, evacuar a câmara de vácuo até ao grau de vácuo elevado pré-estabelecido (normalmente ≤ 10−4 Pa),e eliminar a influência de impurezas como ar e vapor de água no revestimento.
Geração e aceleração do feixe de elétrons: Após ser eletrificado, o cátodo de aquecimento direto é aquecido a uma temperatura elevada (cerca de 2500 °C para os cátodos de filamento de tungstênio), liberando elétrons quentes.Alta tensão (10 a 30 kV) é aplicada ao ânodo para formar um forte campo elétrico que acelera os elétrons, permitindo-lhes ganhar alta energia (energia cinética E=eU, onde e é a carga do elétron e U é a tensão de aceleração).
Foco e deflexão do feixe de elétrons: a bobina de foco gera um campo magnético, convergindo o feixe de elétrons divergente em um feixe fino (com um diâmetro tão pequeno quanto o nível de micrômetro),e a bobina de deflexão pode ajustar a direção do feixe de elétrons para garantir o bombardeio preciso da área central do material alvo.
Evaporação do material alvo: um feixe de elétrons de alta energia bombardeia a superfície do material alvo, convertendo energia cinética em energia térmica,causando a temperatura local do material alvo a subir rapidamente acima do ponto de fusão (alvos metálicos normalmente exigem 1000 a 3000 graus Celsius), resultando em fusão e evaporação, formando uma fase de gás atómico/molecular de alta densidade do material alvo.
Deposição de filme fino: a fase gaseosa do material alvo difunde-se em todas as direcções num ambiente de vácuo e é eventualmente depositada uniformemente na superfície da peça pré-tratada.A taxa de deposição é monitorizada em tempo real por um oscilador de cristal de quartzoQuando a espessura pré-estabelecida é atingida, o bombardeio de feixe de elétrons é interrompido para completar o revestimento.
Expansão opcional do processo: se forem necessárias películas compostas (como TiO2, SiO2), an appropriate amount of reaction gas (such as oxygen) can be introduced during the deposition process to enable the target material atoms and gas molecules to undergo chemical reactions on the workpiece surface, formando filmes funcionais.
III. Características essenciais
A energia do feixe de elétrons é concentrada e a taxa de utilização do material alvo é elevada:A estrutura reta da arma permite que o feixe de elétrons bombardeie diretamente a superfície do material alvoO calor é concentrado numa área local do material alvo, evitando o aquecimento em grande escala do cadinho.A taxa de utilização do material alvo pode atingir 60% a 80% (muito superior aos 30% a 50% das máquinas de revestimento por evaporação por resistência).
A faixa controlada de taxa de deposição é ampla: ajustando a corrente do feixe de elétrons e a tensão de aceleração, pode ser alcançada uma taxa de deposição de 0,1 nm/s a 10 nm/s,que não só podem preparar filmes ultrafinos (tais como filmes ópticos em nanoescala), mas também deposita rapidamente filmes grossos (como filmes de metal condutores).
Compatível com uma variedade de materiais-alvo de elevado ponto de fusão: o bombardeio de feixe de elétrons pode gerar temperaturas locais extremamente elevadas (até mais de 5000°C),com um comprimento de 80 mm ou mais, mas não superior a 150 mm,, molibdênio e tântalo (ponto de fusão > 2000°C), bem como compostos refratários como óxidos e flúoridos, o que é difícil de conseguir através da evaporação de resistência.
Alta pureza do filme e baixa contaminação: o ambiente de alto vácuo reduz a mistura de impurezas,e a arma recta arma de elétrons não tem contaminação de caldeirão (alguns materiais alvo de baixo ponto de fusão ainda exigem caldeirõesA pureza do filme pode geralmente atingir 99,9% a 99,99%.
Forte flexibilidade do processo: Suporta deposição de um único alvo, deposição contínua de vários alvos (para preparação de filmes multicamadas) e deposição reativa (para preparação de filmes compostos).O desempenho do filme pode ser personalizado ajustando parâmetros como temperatura, grau de vácuo e taxa de fluxo de gás.
A estrutura do equipamento é relativamente simples e o custo de manutenção é moderado:A máquina de revestimento de feixe de elétrons de arma direta tem menos componentes centraisO custo de manutenção a longo prazo é controlado.
IV. Principais vantagens
A qualidade do filme é excelente: o filme depositado tem alta densidade, grãos finos, forte adesão ao substrato (especialmente adequado para substratos metálicos e de vidro),e boa uniformidade da espessura (erro de uniformidade para peças de grande área ≤ ± 5%);.
Alta eficiência de deposição e curto ciclo de produção: o feixe de elétrons tem uma elevada eficiência de conversão de energia (cerca de 30% a 50%) e a velocidade de evaporação do material alvo é rápida.O tempo de deposição das películas da mesma espessura é apenas 1/3 a 1/2 do tempo de evaporação da resistência, tornando-o adequado para produção em massa.
A adaptabilidade dos materiais-alvo é extremamente ampla: desde metais com baixo ponto de fusão (alumínio, cobre), até metais com alto ponto de fusão (tungsténio, molibdênio), até ligas, óxidos, flúor, sulfuros, etc.,Quase todos os materiais de revestimento sólido podem ser adaptados para satisfazer diferentes requisitos funcionais.
O desempenho do filme pode ser regulado com precisão: ajustando os parâmetros do feixe de elétrons, taxa de deposição, temperatura da peça de trabalho, etc.,Os principais indicadores da película, tais como a cristalinidade, dureza, adesão e propriedades ópticas (como índice de refração, transmissão da luz) podem ser controladas com precisão.
Ambientalmente limpo e sem poluição: não são produzidos resíduos químicos líquidos ou gases residuais durante todo o processo.satisfazer os requisitos da produção ecológica.
Possui uma ampla gama de substratos aplicáveis: pode ser revestido nas superfícies de vários substratos, tais como vidro, wafers de silício, metais, cerâmica e plásticos (previsto pré-tratamento),e causa pouco dano aos substratos (o feixe de elétrons não entra em contacto direto com o substrato, e a zona afectada pelo calor é pequena).
V. Cenários típicos de aplicação
Campo óptico (aplicações essenciais):
Preparação de filmes ópticos: tais como filmes antirreflexo AR para lentes de óculos e lentes de câmara (filmes multicamadas SiO2+TiO2),Películas de alta reflexão HR para lentes a laser (filmes dieletricos multicamadas), e filtros de interferência para filtros (filtros de banda estreita/banda larga);
Outros componentes ópticos: fibras ópticas, painéis de exibição e películas anti-reflexivas/resistentes a arranhões para coberturas de células solares.
No domínio da electrónica e dos semicondutores
Chips de semicondutores: Preparação de películas condutoras para metais como o alumínio e o cobre, e películas de barreira de titânio e tungstênio;
Componentes eletrónicos: filmes de eletrodos condensadores, filmes de meio de gravação magnética, filmes sensíveis aos sensores (como filmes sensíveis aos gases de óxido de estanho);
Tecnologia de exibição: filmes condutores transparentes para painéis OLED (materiais alternativos do ITO, como o AZO), e a camada inferior de filmes polarizadores para ecrãs de cristal líquido.
Campo de decoração e protecção:
Decoração de alta qualidade: filmes decorativos de ouro imitado (TiN), ouro rosa (TiAlN) e preto (CrN) para alças de caixa de relógio, jóias e equipamentos de banheiro.
Revestimentos protetores: Revestimentos resistentes ao desgaste para ferramentas de corte e moldes (TiN, TiCN), revestimentos anticorrosivo para peças metálicas (filme de alumínio, filme de cromo).
Indústria aeroespacial e militar
Componentes da aviação: películas anti-nevoeiro/anti-gelo para para-brisas de aeronaves, películas protetoras de alta temperatura para pás do motor;
Dispositivos militares: filmes antirreflexo para detectores infravermelhos, filmes refletores para antenas de radar e filmes resistentes ao desgaste e à corrosão para armas e equipamentos.
Outras áreas
Área médica: filmes biocompativeis (como filmes de titânio, filmes de nitruro de titânio) para dispositivos médicos (como instrumentos cirúrgicos, implantes);
No domínio das novas energias: películas condutoras (filmes de cobre, filmes de alumínio) para baterias de lítio, películas retroreflectivas (filmes de alumínio, filmes de prata) para células solares;
Área de embalagem: película revestida de alumínio a vácuo para embalagens alimentares (propriedade de alta barreira, propriedade de conservação).