| Komponen | Spesifikasi |
|---|---|
| Ruang Vakum | φ800×H900mm |
| Metode Pemanasan | Atas, Samping, Bawah (opsional) |
| Sistem Vakum Tinggi | Pompa Molekuler, Pompa Difusi, Pompa Krio (Opsional) |
| Sistem Vakum Rendah | Pompa Kering, Pompa Langsung, Pompa Roots, Pompa Celah Putar (opsional) |
| Sistem Kontrol | Kontrol Otomatis Penuh Layar Sentuh Komputer Industri |
| Monitor Ketebalan Film Kristal | Inficon XTC-3, SQC310, Shanghai MXC-3B |
| Sumber Ion | Sumber Ion RF, Sumber Ion Hall, Sumber Ion Kaufman, Sumber Ion Katoda Berongga (opsional) |
| Rotasi Benda Kerja | Penahan Benda Kerja Payung, Penahan Benda Kerja Rol (opsional) |
| Senapan Elektron | Posisi Tunggal, Ganda, Multi (opsional) |
| Unit Krio | Beberapa Pemasok (opsional) |
| Sistem Probe | Sensor Putar 1 titik, 6 titik, dan 12 titik (opsional) |
| Tekanan Akhir | ≤8.0×10⁻⁵Pa (ruang vakum bersih pada suhu normal, bebas sampel dan bahan pelapis) |
| Sistem Penghalang Uap | Blok Unit, Blok Dua Posisi, dan Blok Putar Multi Posisi (opsional) |
| Pemeliharaan Tekanan Vakum | Tutup katup tinggi, tingkat vakum ≤9×10⁻²Pa setelah 1 jam |
| Catu Daya yang Dibutuhkan | Listrik Tiga Fasa, 380V, 50HZ |
| Tekanan Air yang Dibutuhkan | 0.3-0.4Mpa |
| Berat Peralatan | 3T-4T |
| Tekanan Udara yang Dibutuhkan | 0.6-0.8Mpa |
Hubungi kami kapan saja