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광학 코팅용 전자선 증발 대 자석 스프터링: 비교 분석

2025-12-05

에 대한 최신 회사 뉴스 광학 코팅용 전자선 증발 대 자석 스프터링: 비교 분석

I. 기본 원칙 개요

1.전자선 증발

고에너지 전자기선을 이용해 목표물을 폭격하고 운동 에너지를 열에너지로 변환하여 목표물을 녹여 주거나 증식시킵니다.기체 원자는 기판 표면에 응고하여 얇은 필름을 형성합니다."열성 증발 퇴적"과정, 그것은 순수한 금속과 산화질소와 같은 대량 표적을 사용합니다.

2.마그네트론 스프터링

RF/DC 전기장을 사용하여 무활성 가스 (예: Ar) 를 플라스마로 이온화한다. 가속 이온이 표면 표면을 폭격하여 표적 원자에 운동량을 전달하여 기판에 퇴적한다.화합물 필름은 "반응 스프터링"을 통해 얻을 수 있습니다., N2), 대량 또는 엽금속/복합 표적을 사용하여.

II. 주요 성능 비교 (광적 코팅)

 

비교 차원

전자선 증발

마그네트론 스프터링

예금율

높은 (0.1~10 nm/s), 빠른 두꺼운 필름 퇴적에 이상적입니다.

중저도 (0.01~1 nm/s), 얇은 필름의 정확도

필름 균일성

중등 (±5~10%), 기판 회전 설계에 따라 달라집니다.

우수한 (± 1 ∼ 3%), 넓은 부위의 코팅에 탁월합니다.

필름 밀도

낮은 (포러스성 5~15%), 수분 흡수율이 높다

초고 점포성 < 2%), 밀도가 높고 마모에 저항합니다.

합병성

중등 (반 데르 발스 힘이 지배적) 서브스트라트 전처리가 필요합니다.

강한 (이온 폭격으로 인터페이스 혼합), 뛰어난 내구성

광학 성능 제어

안정적인 굴절 지수 (순수한 물질 증발); 투명한 필름에 대한 높은 투명성 (예: SiO2, TiO2); 낮은 산란 손실

조정 가능한 굴절 지수 (스프터링 전력/가스 비율을 통해); 반응 스프터링을 통해 복합 필름 (예를 들어, TiN, AlN) 을 쉽게 제조; 부드러운 필름과 함께 극저분산 손실

물질적 호환성

높은 녹는점 물질 (예를 들어, Ta2O5, ZrO2) 에 적합; 낮은 녹는점 / 휘발성 물질에 도전

넓은 범위 (금속, 합금, 화합물); 다중 구성 요소 필름 (예를 들어, ITO, MgF2-Al2O3) 을 가능하게합니다.

기판 온도 영향

높은 온도 (150~300°C), 기판 변형 위험

낮은 (0°C), 낮은 온도 퇴적 물질을 보호

장비 비용 및 유지보수

낮은 초기 비용, 간단한 유지보수 (편한 목표 교체)

높은 초기 비용 (비싼 마그네트론 목표물/전력 시스템); 목표 사용률 30~50%

III. 적용 시나리오

전자선 증발

중소량 대량 생산: 연구소 연구 개발, 맞춤형 광학 부품 (렌즈 반사 코팅, 좁은 대역 필터).

고 녹는점 순수한 필름: 높은 굴절 지수 TiO2/ZrO2 필름, 낮은 굴절 지수 SiO2 필름

두꺼운 필름 요구 사항: IR 반사 필름 (>1μm), 금속 반사 층 (Al, Ag 필름)

온도에 민감하지 않은 기판: 유리, 고온 내성 세라믹.

마그네트론 스프터링

산업용 대량 생산: 디스플레이 패널 (ITO 투명한 전도성 필름), 휴대 전화 렌즈 AR 코팅.

대면적 코팅: PV 유리, 건축 유리 (> 1m2)

높은 내구성 요구 사항: 자동차 광학 부품, 야외 광학 기기 (후모/성화 저항성).

복합/다층 필름: 그라디언트 굴절 지수 필름, 다층 필터 (정확한 인터페이스 제어)

낮은 온도 퇴적: 플라스틱 기판 (PC, PMMA), 유연한 광학 물질.

IV. 장단점 요약

전자선 증발

✅ 이점:

높은 퇴적 효율성, 짧은 생산 주기

순수한 필름의 안정적인 광학 성능, 우수한 송전성

낮은 장비 투자, 쉬운 조작.

단점:

필름 밀도가 낮고 장기 안정성이 부족합니다.

큰 면적의 균일성 제어에 어려움이 있습니다.

제한된 필름 종류 (휘발성 낮은 녹는 물질)

마그네트론 스프터링

✅ 이점:

강한 접착력, 밀도가 높고 마모 저항성, 좋은 환경 안정성

대량 생산에 적합한 높은 대면적 균일성

광범위한 재료 호환성, 복잡한 필름 제조

낮은 온도의 퇴적은 기판을 보호합니다.

단점:

느린 퇴적 속도, 낮은 두꺼운 필름 효율

높은 장비 비용, 복잡한 유지보수 (빠른 목표 소비)

반응 스프터링에 필요한 정밀한 가스 비율 제어, 높은 프로세스 조정 어려움.

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