>
>
2025-12-05
1.E-ışın buharlaşması
Hedef malzemeleri bombalamak için yüksek enerjili elektron ışınlarını kullanır. Kinetik enerjiyi termal enerjiye dönüştürerek hedefi eritebilir ya da süblime edebilir.Gazlı atomlar, ince filmler oluşturmak için substrat yüzeyinde yoğunlaşır"Termal buharlaşma deppozisyonu" işlemi, saf metaller ve oksitler gibi toplu hedefler kullanır.
2.Magnetron Sputtering
Inert gazları (örneğin, Ar) plazma içine iyonlaştırmak için RF / DC elektrik alanları kullanır. Hızlandırılmış iyonlar hedef yüzeyini bombalar, atomu atılan hedef atomlara momentum aktarır.Bileşik filmler "reaktif püskürtme" yoluyla elde edilebilir (O2 tanıtımı), N2), toplu veya levha alaşım/kompozit hedefler kullanılarak.
|
Karşılaştırma Boyutu |
E-ışın buharlaşması |
Magnetron Sputtering |
|
Depozito oranı |
Yüksek (0,1 ∼10 nm/s), hızlı kalın film çöküntüsü için idealdir |
Orta düşük (0,01 ∼1 nm/s), ince filmler için hassas |
|
Film Tekdüzeliği |
Orta derecede (± 5 ∼ 10%), alt katman rotasyon tasarımına bağlıdır |
Mükemmel (± 1 ‰ 3%), büyük alan kaplama için seçkin |
|
Film yoğunluğu |
Düşük (porözlük 5 ∼ 15%), nem emiş olma eğilimindedir |
Ultra yüksek (porözlük < 2%), yoğun ve aşınmaya dayanıklı |
|
Bağlantı |
Orta derecede (van der Waals kuvvetleri baskın), altyapı önceden işlenmesi gereklidir |
Güçlü (yon bombardımanı yoluyla arayüz karışımı), üstün dayanıklılık |
|
Optik Performans Kontrolü |
Sabit kırılma indeksi (saf malzemenin buharlaşması); şeffaf filmler için yüksek geçirgenlik (örneğin SiO2, TiO2); düşük dağılım kaybı |
Düzenlenebilir kırılma indeksi (sputtering gücü/gaz oranı yoluyla); reaktif sputtering yoluyla kolay kompozit film (örneğin, TiN, AlN) imalatı; pürüzsüz filmlerle ultra düşük dağılım kaybı |
|
Maddi Uyumluluk |
Yüksek erime noktasına sahip malzemeler için uygundur (örneğin, Ta2O5, ZrO2); düşük erime/uçucu malzemeler için zorlayıcı |
Geniş yelpazede (metaller, alaşımlar, bileşikler); çok bileşenli filmleri (örneğin, ITO, MgF2-Al2O3) sağlar |
|
Substrat sıcaklığı etkisi |
Yüksek (150~300°C), altyapı deformasyon riski |
Düşük (0°C), düşük sıcaklıkta çökme substratları korur |
|
Ekipman Maliyeti ve Bakım |
Düşük başlangıç maliyeti, basit bakım ( kolay hedef değiştirme) |
Yüksek başlangıç maliyeti ( pahalı magnetron hedefleri/güç sistemleri); hedef kullanım oranı 30~50% |
•Küçük ve orta seri üretim: Laboratuvar Ar-Ge, özelleştirilmiş optik bileşenler (düşünce karşıtı kaplamalar, dar bant filtreleri).
•Yüksek erime noktasına sahip saf filmler: Yüksek kırılma indeksi TiO2/ZrO2 filmleri, düşük kırılma indeksi SiO2 filmleri.
•Kalın film gereksinimleri: IR yansıtıcı filmler (> 1μm), metal yansıtıcı katmanlar (Al, Ag filmleri).
•Sıcaklığa duyarsız substratlar: Cam, yüksek sıcaklığa dayanıklı seramik.
•Toplu endüstriyel üretim: Ekran panelleri (ITO şeffaf iletken filmler), cep telefonu lensleri AR kaplamaları.
•Büyük alan kaplama: PV cam, mimari cam (> 1m2).
•Yüksek dayanıklılık gereksinimleri: Otomobil optik bileşenleri, dış mekan optik cihazlar (yaşama/korozyon direnci).
•Kompozit/çok katmanlı filmler: Eşitli kırılma endeksi filmleri, çok katmanlı filtreler (tam arayüz kontrolü).
•Düşük sıcaklıkta çökme: Plastik substratlar (PC, PMMA), esnek optik malzemeler.
✅ Avantajları:
•Yüksek çökme verimliliği, kısa üretim döngüsü;
•Saf filmlerin istikrarlı optik performansı, mükemmel geçirgenlik;
•Düşük ekipman yatırımı, kolay işleme.
¢ dezavantajları:
•Zayıf film yoğunluğu, yeterli uzun süreli kararlılık;
•Büyük alanlarda zor bir tekdüzelik kontrolü;
•Sınırlı film türleri (uçucu düşük erime malzemeleri).
✅ Avantajları:
•Güçlü yapışkanlık, yoğun / aşınmaya dayanıklı filmler, iyi çevresel istikrar;
•Seri üretim için uygun yüksek büyük alan birliği;
•Geniş malzeme uyumluluğu, karmaşık film üretimi;
•Düşük sıcaklıkta çökme substratları korur.
¢ dezavantajları:
•Yavaş çökme hızı, düşük kalın film verimliliği;
•Yüksek ekipman maliyeti, karmaşık bakım (hızlı hedef tüketim);
•Reaktif püskürtme için gerekli olan gaz oranının kesin kontrolü, yüksek süreç ayarlama zorluğu.
Herhangi bir zamanda bizimle iletişime geçin