| Système à vide | Vacuum ultime ≤ 5*10−4 Pa |
| Type de source d'évaporation | Résistance de chauffage (bateaux de tungstène multiples) + chauffage par faisceau d'électrons optionnel |
| Taux de revêtement | Évaporation par résistance: 50 à 200 nm/min; Évaporation par faisceau d'électrons: 30 à 150 nm/min |
| Taille maximale de la pièce | Diamètre maximal ≤ 1200 mm (personnalisable) |
| Épaisseur du film Uniformité | ± 3% à 5% pour les substrats plats; ± 8% à 10% pour les surfaces courbes complexes (optimisé par rotation de la pièce) |
| Méthode de contrôle | Contrôle automatique par PLC, support de stockage de recettes et de surveillance à distance |
| Performance environnementale | Aucune émission d'eaux usées ou d'échappements, conforme aux normes RoHS et REACH |
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