الصفحة الرئيسية
>
المنتجات
>
AF كآلة طلاء الفراغ المغناطيسية للأفلام
>
آلة طلاء الرش المغناطيسي التلقائي بالكامل لمادة AF المضادة لبصمات الأصابع
|
آلة طلاء الرش المغناطيسي التلقائي بالكامل لمادة AF المضادة لبصمات الأصابع
| مكان المنشأ | قوانغدونغ |
| اسم العلامة التجارية | Lion King |
| إصدار الشهادات | CE |
تفاصيل المنتج
حجم الهدف:
2-8 بوصات
طريقة الطلاء:
المغنيترون الدماغ
المادة المستهدفة:
AF كسبائك
مادة الطلاء:
مثل
توحيد الطلاء:
± 5 ٪
مادة الغرفة:
الفولاذ المقاوم للصدأ
حجم الركيزة:
قابل للتخصيص
درجة الفراغ:
≤10-6 PA
سمك الطلاء:
غير محدد
مزود الطاقة:
DC/RF
نظام التحكم:
التحكم في شاشة اللمس PLC
إمدادات الغاز:
غازات متعددة
نظام التبريد:
تبريد الماء
سرعة الطلاء:
1-3 م / دقيقة
نموذج:
AF كآلة طلاء الفراغ المغناطيسية للأفلام
قوة الهدف:
DC/RF/AC
تكنولوجيا الطلاء:
المغنيترون الدماغ
هدف الطلاء:
المعادن ، سبيكة ، سيراميك ، إلخ.
مضخة فراغ:
مضخة دوارة الدوران ، مضخة الجذور ، إلخ.
طلاء الركيزة:
الزجاج والمعادن والسيراميك وما إلى ذلك
حجم غرفة الفراغ:
مخصصة
تطبيق الطلاء:
البصرية ، الإلكترونية ، الزخرفية ، إلخ.
لون الطلاء:
فضي
طلب:
فيلم Magnetron Sputtering
درجة حرارة الطلاء:
قليل
صلابة الطلاء:
عالي
التكنولوجيا الفراغ:
طبقة فراغ
شفافية الطلاء:
عالي
يكتب:
آلة طلاء الفراغ المغناطيسية المغنطيسية
التصاق الطلاء:
قوي
مادة الركيزة:
غير محدد
الركيزة:
زجاج
نظام فراغ:
نظام فراغ الثرثرة
حجم الطلاء:
قابل للتخصيص
نوع المنتج:
آلة طلاء فراغ
إبراز:
آلة طلاء الرش المغناطيسي لمادة AF,آلة طلاء الرش المغناطيسي لمادة AF
,AF Magnetic Sputtering Coater Machine
شروط الدفع والشحن
الحد الأدنى لكمية
1
تفاصيل التغليف
عبوة صندوق خشبية
وقت التسليم
20
وصف المنتج
يستخدم جهاز الطلاء بالرش المغناطيسي AF (مضاد لبصمات الأصابع) تقنية الطلاء المتقدمة لمصدر الأيونات الفريد من نوعه لشركة Kerun Vacuum، والرش التفاعلي بالتردد المتوسط المغناطيسي، وعملية الطلاء بالتبخير، مما يحسن بشكل كبير من جودة طبقة فيلم AF. يمكن للمنتجات من جهاز الطلاء بالرش المغناطيسي AF أن تفي بمعيار CE الأوروبي.
المنتجات الموصى بها
اتصل بنا في أي وقت
18207198662
رقم 3، الطابق 17، الوحدة 1، المبنى 03، المرحلة الثانية، قصر جينماو، شوكاي OCT، طريق هيكسي، منطقة هونغشان، مدينة ووهان، مقاطعة هوبي، الصين
